タイプ | クォーツ・ウェーファー・キャリア |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | スクエア |
処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
タイプ | 透明なクォーツプレート |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | 正方形/円形 |
処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
材料 | SiO2 |
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硬度 | モールス6.5 |
働く温度 | 1200℃ |
表面質 | 20/40か40/60 |
Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
製品名 | 実験用試薬のびん |
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材料 | SIO2>99.9% |
密度 | 2.2g/cm3 |
働く温度 | 1100℃ |
酸の許容 | 製陶術より30回、ステンレス鋼より150回 |
タイプ | 透明なクォーツプレート |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | スクエア |
処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
タイプ | 透明なクォーツ管 |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | 半円形 |
処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
タイプ | 透明なクォーツプレート |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | スクエア |
処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
材料 | SiO2 |
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硬度 | モールス6.5 |
働く温度 | 1100℃ |
表面質 | 20/40か40/60 |
Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
材料 | SiO2 |
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硬度 | モールス6.5 |
働く温度 | 1100℃ |
表面質 | 20/40か40/60 |
Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
材料 | SiO2 |
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硬度 | モールス6.5 |
働く温度 | 1200℃ |
表面質 | 20/40か40/60 |
Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |