| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | パンチ 切る |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | パンチ 切る |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | パンチ 切る |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | パンチ 切る |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | パンチ 切る |
| 素材 | SiO2 |
|---|---|
| 密度 | 2.2g/cm3 |
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 紫外線伝送 | 80% |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1200℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
