材料 | SIO2>99.99% |
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密度 | 2.2g/cm3 |
硬度 | モールス6.5 |
溶解ポイント | 1750-1850℃ |
働く温度 | 1110℃ |
材料 | SIO2>99.99% |
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密度 | 2.2g/cm3 |
硬度 | モールス6.5 |
溶解ポイント | 1750-1850℃ |
働く温度 | 1110℃ |
製品名 | 水晶壷 |
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材料 | SIO2>99.99% |
密度 | 2.2g/cm3 |
硬度 | モールス6.5 |
溶解ポイント | 1750-1850℃ |
材料 | SIO2>99.99% |
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密度 | 2.2g/cm3 |
硬度 | モールス6.5 |
溶解ポイント | 1750-1850℃ |
働く温度 | 1110℃ |
製品名 | 実験用試薬のびん |
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材料 | SIO2>99.9% |
密度 | 2.2g/cm3 |
酸の許容 | 製陶術より30回、ステンレス鋼より150回 |
溶解ポイント | 1750℃ |
製品名 | 実験用試薬のびん |
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材料 | SIO2>99.9% |
密度 | 2.2g/cm3 |
働く温度 | 1100℃ |
酸の許容 | Ceramicsより30回、ステンレス鋼より150回 |
タイプ | 明確な水晶版 |
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適用 | 光学紫外線 |
厚さ | 0.5-100mm |
形 | 正方形 |
サービスの処理 | の切断打つ溶接曲がること |
タイプ | 透明なクォーツプレート |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | スクエア |
処理サービス | パンチ 切る |
タイプ | 透明なクォーツプレート |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | スクエア |
処理サービス | パンチ 切る |
Type | Clear Quartz Plate |
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Application | Semiconductor, optical |
Thickness | 0.5-100mm |
Shape | Square |
Processing Service | Punching, Cutting |