| タイプ | クォーツ・ウェーファー・キャリア |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
| タイプ | クォーツ・ウェーファー・キャリア |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | スクエア |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
| タイプ | 透明なクォーツプレート |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | 正方形/円形 |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
| Type | Clear Quartz Plate |
|---|---|
| Application | Semiconductor, optical |
| Thickness | 0.5-100mm |
| Shape | Mixed |
| Processing Service | Bending, Welding, Punching, polishing |
| Type | Clear Quartz Plate |
|---|---|
| Application | Semiconductor, optical |
| Thickness | 0.5-100mm |
| Shape | Mixed |
| Processing Service | Bending, Welding, Punching, polishing |
| タイプ | クリアクォーツプレート |
|---|---|
| 応用 | 半導体、光学 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形 | 混合 |
| 処理サービス | 曲げ、溶接、パンチング、研磨 |
| 材料 | 99.99% |
|---|---|
| 軽い伝送 | 92% |
| 密度 | 2.2g/cm3 |
| 働くTemparature | 1100℃ |
| 硬度 | モールス6.5 |
| 材料 | SIO2>99.999% |
|---|---|
| 密度 | 2.2 （g/cm3） |
| 軽い伝送 | >92% |
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 材料 | SIO2>99.999% |
|---|---|
| 密度 | 2.2 （g/cm3） |
| 軽い伝送 | >92% |
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| タイプ | 明確な水晶版 |
|---|---|
| 応用 | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形 | 四角 |
| 処理サービス | 、溶接し曲がること、磨く切断打つ |
