| タイプ | クリアクォーツプレート |
|---|---|
| 応用 | 半導体、光学 |
| 厚さ | 0.5～100mm |
| 形 | 四角 |
| 処理サービス | 曲げ、溶接、打ち抜き、切断、研磨 |
| タイプ | 凍結したクォーツ板 |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | ステップ |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1200℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
| タイプ | 明確な水晶版 |
|---|---|
| 応用 | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形 | 四角 |
| 処理サービス | 、溶接し曲がること、磨く切断打つ |
| タイプ | 凍結したクォーツ板 |
|---|---|
| 適用する | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形状 | ステップ |
| 処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1200℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1200℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
