| タイプ | クリアクォーツプレート |
|---|---|
| 応用 | 半導体、光学 |
| 厚さ | 0.5～100mm |
| 形 | 四角 |
| 加工サービス | 曲げ、溶接、打ち抜き、切断 |
| タイプ | クリアクォーツプレート |
|---|---|
| 適用 | 半導体、光学 |
| 厚さ | 0.5～100mm |
| 形 | 四角 |
| サービスの処理 | 曲げ、溶接、打ち抜き、切断、研磨 |
| タイプ | クリアクォーツプレート |
|---|---|
| 適用 | 半導体、光学 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形 | 正方形 |
| サービスの処理 | 曲げ、溶接、打ち抜き、切断、研磨 |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 密度 | 2.2g/cm3 |
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 紫外線伝送 | 80% |
| 材料 | 99.99% |
|---|---|
| 軽い伝送 | 92% |
| 密度 | 2.2g/cm3 |
| 働くTemparature | 1100℃ |
| 硬度 | モールス6.5 |
| 素材 | SIO2>99.999% |
|---|---|
| 密度 | 2.2 （g/cm3） |
| 軽い伝送 | >92% |
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| タイプ | 明確な水晶版 |
|---|---|
| 適用 | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形 | 正方形 |
| サービスの処理 | の切断打つ溶接曲がること |
| タイプ | 明確な水晶版 |
|---|---|
| 適用 | 光学半導体 |
| 厚さ | 0.5-100mm |
| 形 | 正方形 |
| サービスの処理 | 、溶接し曲がること、磨く切断打つ |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
| 材料 | SiO2 |
|---|---|
| 硬度 | モールス6.5 |
| 働く温度 | 1100℃ |
| 表面質 | 20/40か40/60 |
| Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
