材料 | SIO2>99.99% |
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密度 | 2.2 (g/cm3) |
軽い伝送 | >92% |
硬度 | モールス6.5 |
働く温度 | 1100℃ |
材料 | SiO2 |
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硬度 | モールス6.5 |
働く温度 | 1100℃ |
表面質 | 20/40か40/60 |
Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |
材料 | 99.99% |
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軽い伝送 | 92% |
密度 | 2.2g/cm3 |
働くTemparature | 1100℃ |
硬度 | モールス6.5 |
タイプ | 明確な水晶版 |
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応用 | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形 | 四角 |
処理サービス | 、溶接し曲がること、磨く切断打つ |
タイプ | 明確な水晶版 |
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応用 | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形 | 四角 |
処理サービス | 、溶接し曲がること、磨く切断打つ |
製品名 | 水晶管 |
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材料 | Sio2 |
純度 | 99.99% |
物質的なタイプ | JGS1/JGS2/JGS3 |
働くTemparature | 1200℃ |
タイプ | クリアクォーツプレート |
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応用 | 半導体、光学 |
厚さ | 0.5~100mm |
形 | 四角 |
処理サービス | 曲げ、溶接、打ち抜き、切断、研磨 |
タイプ | 凍結したクォーツ板 |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | ステップ |
処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
タイプ | 凍結したクォーツ板 |
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適用する | 光学半導体 |
厚さ | 0.5-100mm |
形状 | ステップ |
処理サービス | 折りたたみ,溶接,パンシング,磨き |
材料 | SiO2 |
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硬度 | モールス6.5 |
働く温度 | 1200℃ |
表面質 | 20/40か40/60 |
Dieletricの強さ | 250~400Kv/cm |